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冷凍鹽水流量計(jì)勵(lì)磁系統(tǒng)硬件研制
點(diǎn)擊次數(shù):2388 發(fā)布時(shí)間:2021-09-06 07:22:38
KM-LDE冷凍鹽水流量計(jì)是我公司吸取國(guó)外先進(jìn)的生產(chǎn)工藝自主開發(fā)的一款高性能的流量計(jì),在產(chǎn)品結(jié)構(gòu)、選材、制定工藝、生產(chǎn)裝配和出廠測(cè)試等過程中每一個(gè)環(huán)節(jié)我們都非常細(xì)致講究,自行設(shè)計(jì)了一套專用于流量計(jì)的生產(chǎn)設(shè)備和流量實(shí)流標(biāo)定裝置,在軟件和硬件上都能切實(shí)保證產(chǎn)品長(zhǎng)期的高質(zhì)量。
1、 高、低壓切換恒流控制電路
高、低壓切換恒流控制電路是勵(lì)磁控制系統(tǒng)中的關(guān)鍵部分,由高、低壓電源、能量回饋電路、高低壓切換電路、恒流控制電路、電流旁路電路和遲滯比較電路組成,其電路原理如圖2所示。
高、低壓電源來自于AC-DC模塊。其中,高壓源直接采用AC-DC的80V輸出電源;低壓源則由DC-DC轉(zhuǎn)換器對(duì)AC-DC模塊的24V輸出電源進(jìn)行轉(zhuǎn)換得到的可調(diào)電壓源。電壓大小則以保證勵(lì)磁穩(wěn)態(tài)時(shí),恒流控制電路中的三端穩(wěn)壓器輸入輸出壓差相對(duì)較小為準(zhǔn),以降低電路損耗;能量回饋電路由儲(chǔ)能電容C1、保護(hù)二*管D1和能量泄放電阻R1組成。其中,電容C1用于儲(chǔ)存勵(lì)磁方向切換時(shí),勵(lì)磁線圈中泄放的能量。齊納二*管D1用于防止勵(lì)磁線圈中能量泄放時(shí),由于電容C1的充電電壓過高,而導(dǎo)致的電容擊穿。電阻R1用于在系統(tǒng)斷電不工作時(shí),為電容C1提供能量泄放回路;高低壓切換電路主要由肖特基二*管和達(dá)林頓三*管組成高低壓平滑切換電路。當(dāng)達(dá)林頓三*管導(dǎo)通時(shí),將高壓源切換為勵(lì)磁工作電源,肖特基二*管反向關(guān)斷,低壓源被切除。而當(dāng)達(dá)林頓三*管關(guān)斷時(shí),肖特基二*管重新正向?qū)ǎ瑢⒌蛪涸辞袚Q為勵(lì)磁工作電源。恒流控制電路由三端穩(wěn)壓芯片、電阻R2與肖特基二*管D3構(gòu)成。電阻R2用于設(shè)置恒流源輸出電流的大小,即勵(lì)磁電流的穩(wěn)態(tài)值;由于勵(lì)磁電流達(dá)到200mA左右,為防止長(zhǎng)期勵(lì)磁導(dǎo)致電路溫升并影響電路參數(shù),電阻R2選用大功率低溫漂系數(shù)的精密電阻;肖特基二*管D3一方面用于防止反向電流損壞三端穩(wěn)壓器;另一方面用于組成勵(lì)磁線圈的能量泄放回路的一部分;電流旁路電路主要由達(dá)林頓三*管組成,由遲滯比較電路控制通斷;遲滯比較電路主要由運(yùn)放和電阻等分立元件搭建而成。比較電路一端輸入為基準(zhǔn)Vref,其值取決于勵(lì)磁電流的穩(wěn)態(tài)設(shè)定值大小,另一端輸入則為檢流電路檢測(cè)得到的勵(lì)磁電流信號(hào)Cur。
2、 H橋勵(lì)磁開關(guān)電路與檢流電路
H橋開關(guān)電路主要由H橋路及其驅(qū)動(dòng)電路組成,用于實(shí)現(xiàn)對(duì)勵(lì)磁線圈進(jìn)行方波勵(lì)磁。原理示意圖如圖3所示。
圖中,L1為勵(lì)磁線圈的示意符號(hào)。H橋路中,高端橋臂采用PNP型的達(dá)林頓三*管,以通過電流控制其通斷,從而克服因線圈的電感特性導(dǎo)致H橋高端電壓大幅波動(dòng)而較難控制的問題。H橋驅(qū)動(dòng)電路主要由達(dá)林頓陣列管和三*管等組成,為H橋高端橋臂提供電流控制信號(hào),為H橋低端橋臂提供電壓控制信號(hào),且對(duì)H橋的控制采用對(duì)臂聯(lián)動(dòng)控制方式,即由控制信號(hào)CON1控制H橋T1管和T4管的通斷,由控制信號(hào)CON2控制H橋T2和T3的通斷。CON1和CON2為正交的PWM波,從而實(shí)現(xiàn)對(duì)勵(lì)磁線圈的方波勵(lì)磁。勵(lì)磁系統(tǒng)中檢流電路主要由檢流電阻組成,檢流電阻同樣采用大功率低溫漂的精密電阻以避免長(zhǎng)期勵(lì)磁工作時(shí)電路溫升引起電路參數(shù)的較大漂移。另外,檢流電阻取低阻值電阻以降低H橋低端電壓波動(dòng),從而保證H橋低端橋臂可靠通斷。
3 、勵(lì)磁時(shí)序產(chǎn)生電路
勵(lì)磁時(shí)序產(chǎn)生電路用于產(chǎn)生勵(lì)磁控制信號(hào)CON1和CON2以控制方波勵(lì)磁時(shí)序,其電路原理結(jié)構(gòu)圖如圖4所示。
該電路主要由勵(lì)磁時(shí)序發(fā)生單元、三態(tài)緩沖器及隔離光耦組成。勵(lì)磁時(shí)序由冷凍鹽水流量計(jì)系統(tǒng)的控制核心產(chǎn)生。采用DSP的EPWM外設(shè)模塊,通過設(shè)定其內(nèi)部定時(shí)器的工作模式發(fā)出所要求的勵(lì)磁頻率的勵(lì)磁時(shí)序PWM信號(hào)CT_1和CT_2。由于勵(lì)磁控制系統(tǒng)中的勵(lì)磁工作電源的電壓要比DSP的工作電源電壓高得多,為防止勵(lì)磁電路故障對(duì)系統(tǒng)控制核心產(chǎn)生致命影響,采用光耦將控制部分與勵(lì)磁部分進(jìn)行隔離。另外,由于DSP引腳的驅(qū)動(dòng)能力有限,所以在DSP與隔離光耦之間加入三態(tài)緩沖器以驅(qū)動(dòng)隔離光耦的輸入級(jí)。并且,DSP能夠通過GPIO口控制三態(tài)緩沖器上的使能引腳來使能和禁止勵(lì)磁,以在檢測(cè)到電路故障時(shí)迅速關(guān)斷H橋所有橋臂。該勵(lì)磁時(shí)序產(chǎn)生電路通過軟件編程可產(chǎn)生如圖5所示的單頻矩形波。在實(shí)際應(yīng)用中,由于組成H橋的達(dá)林頓三*管與MOS管導(dǎo)通與關(guān)斷的時(shí)間不一致,易在勵(lì)磁方向切換瞬間,產(chǎn)生上下橋臂同時(shí)導(dǎo)通的現(xiàn)象,反映在勵(lì)磁電流波形上為一幅值很高的窄脈沖。該脈沖電流不僅容易引起遲滯比較電路的誤輸出,從而導(dǎo)致高低壓切換電路與電流旁路電路的誤動(dòng)作,而且對(duì)恒流控制電路產(chǎn)生沖擊,減小三端穩(wěn)壓芯片的使用壽命,同時(shí)還會(huì)產(chǎn)生EMC電磁干擾,給測(cè)量精度帶來影響。所以實(shí)際應(yīng)用時(shí),如圖5所示對(duì)方波勵(lì)磁時(shí)序添加死區(qū),可以明顯減小上述現(xiàn)象。
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1、 高、低壓切換恒流控制電路
高、低壓切換恒流控制電路是勵(lì)磁控制系統(tǒng)中的關(guān)鍵部分,由高、低壓電源、能量回饋電路、高低壓切換電路、恒流控制電路、電流旁路電路和遲滯比較電路組成,其電路原理如圖2所示。
高、低壓電源來自于AC-DC模塊。其中,高壓源直接采用AC-DC的80V輸出電源;低壓源則由DC-DC轉(zhuǎn)換器對(duì)AC-DC模塊的24V輸出電源進(jìn)行轉(zhuǎn)換得到的可調(diào)電壓源。電壓大小則以保證勵(lì)磁穩(wěn)態(tài)時(shí),恒流控制電路中的三端穩(wěn)壓器輸入輸出壓差相對(duì)較小為準(zhǔn),以降低電路損耗;能量回饋電路由儲(chǔ)能電容C1、保護(hù)二*管D1和能量泄放電阻R1組成。其中,電容C1用于儲(chǔ)存勵(lì)磁方向切換時(shí),勵(lì)磁線圈中泄放的能量。齊納二*管D1用于防止勵(lì)磁線圈中能量泄放時(shí),由于電容C1的充電電壓過高,而導(dǎo)致的電容擊穿。電阻R1用于在系統(tǒng)斷電不工作時(shí),為電容C1提供能量泄放回路;高低壓切換電路主要由肖特基二*管和達(dá)林頓三*管組成高低壓平滑切換電路。當(dāng)達(dá)林頓三*管導(dǎo)通時(shí),將高壓源切換為勵(lì)磁工作電源,肖特基二*管反向關(guān)斷,低壓源被切除。而當(dāng)達(dá)林頓三*管關(guān)斷時(shí),肖特基二*管重新正向?qū)ǎ瑢⒌蛪涸辞袚Q為勵(lì)磁工作電源。恒流控制電路由三端穩(wěn)壓芯片、電阻R2與肖特基二*管D3構(gòu)成。電阻R2用于設(shè)置恒流源輸出電流的大小,即勵(lì)磁電流的穩(wěn)態(tài)值;由于勵(lì)磁電流達(dá)到200mA左右,為防止長(zhǎng)期勵(lì)磁導(dǎo)致電路溫升并影響電路參數(shù),電阻R2選用大功率低溫漂系數(shù)的精密電阻;肖特基二*管D3一方面用于防止反向電流損壞三端穩(wěn)壓器;另一方面用于組成勵(lì)磁線圈的能量泄放回路的一部分;電流旁路電路主要由達(dá)林頓三*管組成,由遲滯比較電路控制通斷;遲滯比較電路主要由運(yùn)放和電阻等分立元件搭建而成。比較電路一端輸入為基準(zhǔn)Vref,其值取決于勵(lì)磁電流的穩(wěn)態(tài)設(shè)定值大小,另一端輸入則為檢流電路檢測(cè)得到的勵(lì)磁電流信號(hào)Cur。
2、 H橋勵(lì)磁開關(guān)電路與檢流電路
H橋開關(guān)電路主要由H橋路及其驅(qū)動(dòng)電路組成,用于實(shí)現(xiàn)對(duì)勵(lì)磁線圈進(jìn)行方波勵(lì)磁。原理示意圖如圖3所示。
圖中,L1為勵(lì)磁線圈的示意符號(hào)。H橋路中,高端橋臂采用PNP型的達(dá)林頓三*管,以通過電流控制其通斷,從而克服因線圈的電感特性導(dǎo)致H橋高端電壓大幅波動(dòng)而較難控制的問題。H橋驅(qū)動(dòng)電路主要由達(dá)林頓陣列管和三*管等組成,為H橋高端橋臂提供電流控制信號(hào),為H橋低端橋臂提供電壓控制信號(hào),且對(duì)H橋的控制采用對(duì)臂聯(lián)動(dòng)控制方式,即由控制信號(hào)CON1控制H橋T1管和T4管的通斷,由控制信號(hào)CON2控制H橋T2和T3的通斷。CON1和CON2為正交的PWM波,從而實(shí)現(xiàn)對(duì)勵(lì)磁線圈的方波勵(lì)磁。勵(lì)磁系統(tǒng)中檢流電路主要由檢流電阻組成,檢流電阻同樣采用大功率低溫漂的精密電阻以避免長(zhǎng)期勵(lì)磁工作時(shí)電路溫升引起電路參數(shù)的較大漂移。另外,檢流電阻取低阻值電阻以降低H橋低端電壓波動(dòng),從而保證H橋低端橋臂可靠通斷。
3 、勵(lì)磁時(shí)序產(chǎn)生電路
勵(lì)磁時(shí)序產(chǎn)生電路用于產(chǎn)生勵(lì)磁控制信號(hào)CON1和CON2以控制方波勵(lì)磁時(shí)序,其電路原理結(jié)構(gòu)圖如圖4所示。
該電路主要由勵(lì)磁時(shí)序發(fā)生單元、三態(tài)緩沖器及隔離光耦組成。勵(lì)磁時(shí)序由冷凍鹽水流量計(jì)系統(tǒng)的控制核心產(chǎn)生。采用DSP的EPWM外設(shè)模塊,通過設(shè)定其內(nèi)部定時(shí)器的工作模式發(fā)出所要求的勵(lì)磁頻率的勵(lì)磁時(shí)序PWM信號(hào)CT_1和CT_2。由于勵(lì)磁控制系統(tǒng)中的勵(lì)磁工作電源的電壓要比DSP的工作電源電壓高得多,為防止勵(lì)磁電路故障對(duì)系統(tǒng)控制核心產(chǎn)生致命影響,采用光耦將控制部分與勵(lì)磁部分進(jìn)行隔離。另外,由于DSP引腳的驅(qū)動(dòng)能力有限,所以在DSP與隔離光耦之間加入三態(tài)緩沖器以驅(qū)動(dòng)隔離光耦的輸入級(jí)。并且,DSP能夠通過GPIO口控制三態(tài)緩沖器上的使能引腳來使能和禁止勵(lì)磁,以在檢測(cè)到電路故障時(shí)迅速關(guān)斷H橋所有橋臂。該勵(lì)磁時(shí)序產(chǎn)生電路通過軟件編程可產(chǎn)生如圖5所示的單頻矩形波。在實(shí)際應(yīng)用中,由于組成H橋的達(dá)林頓三*管與MOS管導(dǎo)通與關(guān)斷的時(shí)間不一致,易在勵(lì)磁方向切換瞬間,產(chǎn)生上下橋臂同時(shí)導(dǎo)通的現(xiàn)象,反映在勵(lì)磁電流波形上為一幅值很高的窄脈沖。該脈沖電流不僅容易引起遲滯比較電路的誤輸出,從而導(dǎo)致高低壓切換電路與電流旁路電路的誤動(dòng)作,而且對(duì)恒流控制電路產(chǎn)生沖擊,減小三端穩(wěn)壓芯片的使用壽命,同時(shí)還會(huì)產(chǎn)生EMC電磁干擾,給測(cè)量精度帶來影響。所以實(shí)際應(yīng)用時(shí),如圖5所示對(duì)方波勵(lì)磁時(shí)序添加死區(qū),可以明顯減小上述現(xiàn)象。
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